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壓電薄膜材料的性能分別有以下幾點(diǎn)：1、介電常數(shù)，雖然壓電薄膜為單晶薄膜或者為擇優(yōu)取向的多晶薄膜，但是在其中的原子堆積卻不像在晶體中那樣緊密和有序，因此壓電薄膜的介電常數(shù)值與晶體的數(shù)值有差異。除此之外，還有在薄膜中常有的較大的殘留內(nèi)應(yīng)力以及測(cè)量上的原因，也導(dǎo)致薄膜的介電常數(shù)值不同于晶體的相應(yīng)數(shù)值。

壓電薄膜的制備方法主要有傳統(tǒng)的真空鍍膜方法，包括真空蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、化學(xué)氣相沉積鍍膜是制備厚度在0～18μm，新型溶膠凝膠法、水熱法、電泳沉積法是制備10～100μm的壓電厚膜材料。壓電厚膜通常是指厚度為10～100μm的壓電膜,與薄膜相比,它的壓電、鐵電性能較少受界面、表面等的影響；由于它的厚度比較大，所以這種材料也能產(chǎn)生大的驅(qū)動(dòng)力,且具有更寬的工作頻率；與塊體材料相比，其工作電壓低、使用頻率高、與半導(dǎo)體工藝兼容。