壓電薄膜材料的性能分別有以下幾點：

1、介電常數(shù)

雖然壓電薄膜為單晶薄膜或者為擇優(yōu)取向的多晶薄膜，但是在其中的原子堆積卻不像在晶體中那樣緊密和有序，因此壓電薄膜的介電常數(shù)值與晶體的數(shù)值有差異。除此之外，還有在薄膜中常有的較大的殘留內(nèi)應(yīng)力以及測量上的原因，也導(dǎo)致薄膜的介電常數(shù)值不同于晶體的相應(yīng)數(shù)值。

已有研究表明：壓電薄膜的介電常數(shù)不但與晶體方向有關(guān)，而且還依從于測試條件。壓電薄膜的介電常數(shù)有相當(dāng)大分散性的原因，除了內(nèi)應(yīng)力大小和測試條件不同以外，海印薄膜成分偏離化學(xué)式計量比和薄膜厚度的差別；一般認為，薄膜的介電常數(shù)隨厚度減薄而變小。另外，壓電薄膜的介電常數(shù)隨溫度、頻率的變化也會發(fā)生明顯的變化。

2、體積電阻率

從降低壓電薄膜的介質(zhì)損耗和弛豫頻率來說，都希望它具有很高的電阻率，至少應(yīng)該ρv≥108Ω?cm。AlN薄膜的電阻率2×1014~1×1015Ω?cm，遠高于108Ω?cm，因而在這一方面，AlN是十分優(yōu)異的薄膜。另外，AlN壓電薄膜的電導(dǎo)性隨溫度的變化也服從

1nσ∝1/T規(guī)律。

有壓電效應(yīng)的晶體都不具有對稱中心，所以其電子遷移率也是各向異性的，電導(dǎo)率也是各不相同的。AlN壓電薄膜沿C軸方向的電導(dǎo)率就不同于垂直C軸的方向，前者約小1～2個數(shù)量級。

3、損耗角正切

AlN壓電薄膜的介質(zhì)損耗角正切tanδ=0.003～0.005，ZnO薄膜的tanδ則較大，為0.005～0.01。這些薄膜的tanδ之所以有這樣大，是由于這些薄膜中除了有電導(dǎo)過程以外，還存在著顯著的弛豫現(xiàn)象。

與介質(zhì)薄膜類似，壓電厚膜的tanδ隨溫度和頻率的上升以及濕度的增大，都逐漸增大。另外，在薄膜厚度減少時，tanδ趨向于增大。顯然，tanδ隨溫度的上升是由于電導(dǎo)的變大和弛豫子的增多，它隨頻率增大時因為時間內(nèi)弛豫次數(shù)增多。

4、擊穿強度

因為電介質(zhì)的擊穿場強屬于強度參數(shù)，而且在薄膜中又難免有各種缺陷，所以壓電薄膜的擊穿場強有相當(dāng)大的分散性；安電介質(zhì)的擊穿理論，對于完整無缺的薄膜，其擊穿場強應(yīng)該隨薄膜厚度的減小而逐漸增大。但是實際上，因為薄膜中含有不少缺陷，厚度越小時缺陷的影響越顯著，所以在厚度減到一定數(shù)值時，薄膜的擊穿場強反而急劇變小。對薄膜擊穿場強，除了薄膜自身的原因外，還有在測試時電極邊緣的影響。由于薄膜越厚，電極邊緣的電場越不均勻，所以隨薄膜厚度的增加，其擊穿場強逐漸降低。